IRF3710STRLPBF vs IRF4905STRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF3710STRLPBF द्वारा Infineon और IRF4905STRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF - 100V 57A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRF3710STRLPBF - 100V 57A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRF3710STRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF3710STRLPBF IRF4905STRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel P-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 120 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C -55C to +175C
पैकेज D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
MSL स्तर — 1

डेटाशीट और संसाधन

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