IRF3710STRLPBF vs IRF4905STRLPBF 比較

詳細並排比較 IRF3710STRLPBF 由 Infineon 與 IRF4905STRLPBF 由 Infineon. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

規格比較

參數 IRF3710STRLPBF IRF4905STRLPBF
品牌 Infineon Infineon
類別 MOSFETs MOSFETs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
FET Type N-Channel P-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 120 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
工作溫度範圍 -55 C to +175 C -55C to +175C
封裝 D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 狀態 Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
MSL 等級 — 1

資料表與資源

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