IRF3710STRLPBF vs IRF4905STRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF3710STRLPBF توسط Infineon و IRF4905STRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF3710STRLPBF IRF4905STRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel P-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 120 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C -55C to +175C
بسته‌بندی D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
سطح MSL — 1

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت