IRF3710STRLPBF vs IRF4905STRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF3710STRLPBF מאת Infineon ו IRF4905STRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF3710STRLPBF IRF4905STRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel P-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 120 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C -55C to +175C
מארז D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
רמת MSL — 1

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר