IRF3710STRLPBF vs IRF4905STRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF3710STRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF4905STRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF3710STRLPBF IRF4905STRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel P-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 120 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55C to +175C
پیکیج D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں