IRF3710STRLPBF vs IRF4905STRLPBF Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng IRF3710STRLPBF sa pamamagitan ng Infineon at IRF4905STRLPBF sa pamamagitan ng Infineon. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro IRF3710STRLPBF IRF4905STRLPBF
Brand Infineon Infineon
Kategorya MOSFETs MOSFETs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
FET Type N-Channel P-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 120 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
Hanay ng Temperature na Operasyon -55 C to +175 C -55C to +175C
Packhaging D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
Uri ng Pagpapasok Surface Mount Surface Mount
Tindminan RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Level ng MSL — 1

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita