IRF4905SPBF vs IRF4905STRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF4905SPBF द्वारा Infineon और IRF4905STRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon
IRF4905STRLPBF ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF4905SPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | -42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | -260 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) | 20 mOhm @ VGS = -10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 170 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +150 C | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] | — |
| पैकेज | D2PAK (TO-263) surface mount | D2PAK (TO-263) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET, planar cell | HEXFET (Planar) |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC (typical per Mouser listing) | 120 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) | Compliant |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| MSL स्तर | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |