IRF4905SPBF vs IRF4905STRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF4905SPBF bằng Infineon và IRF4905STRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF4905SPBF IRF4905SPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 42A D2PAK | Infineon

IRF4905SPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 42A D2PAK | Infineon

IRF4905SPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF4905SPBF IRF4905STRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +150 C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
Hộp D2PAK (TO-263) surface mount D2PAK (TO-263)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, planar cell HEXFET (Planar)
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) 120 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Trạng thái RoHS Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant
Qualification JEDEC standard —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
Cấp MSL — 1
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá