IRF4905SPBF vs IRF4905STRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905SPBF بذریعہ Infineon اور IRF4905STRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF4905SPBF IRF4905STRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
پیکیج D2PAK (TO-263) surface mount D2PAK (TO-263)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, planar cell HEXFET (Planar)
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) 120 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant
Qualification JEDEC standard —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
MSL لیول — 1
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں