IRF4905SPBF vs IRF4905STRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905SPBF tarafından Infineon ve IRF4905STRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF4905SPBF IRF4905STRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm @ VGS = -10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 170 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] —
Paket D2PAK (TO-263) surface mount D2PAK (TO-263)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, planar cell HEXFET (Planar)
Total Gate Charge (Qg) 120 nC (typical per Mouser listing) 120 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
RoHS Durumu Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant
Qualification JEDEC standard —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
MSL Seviyesi — 1
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin