IRF530NPBF vs IRF520NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF530NPBF द्वारा Infineon और IRF520NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF530NPBF | IRF520NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Part Number | IRF530NPBF | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel HEXFET Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | 70 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज / केस | TO-220AB (through-hole) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| MSL स्तर | N/A (through-hole) | 1 (unlimited) |
| Configuration | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) | — |
| Series | — | HEXFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 9.7 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 200 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 48 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| पैकेज | — | TO-220AB (through-hole) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |
| Technology | — | HEXFET (vertical DMOS) |