IRFH5015TRPBF vs IRFH6200TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH5015TRPBF द्वारा Infineon और IRFH6200TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFH5015TRPBF | IRFH6200TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | StrongIRFET (trench N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 31 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 33 nC | 155 nC |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 156 W | — |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | 10 V | — |
| पैकेज | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 | 8-PQFN 5x6 mm (Power QFN) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (TJ max) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFH6200TRPBF |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 49 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.2 mOhm |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max rating] |
| Power Dissipation at Ta (25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation at Tc (25C) | — | 156 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (TRPBF suffix = Pb-free T&R) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] |
| Channel Type | — | N-Channel enhancement mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |