IRFR220NPBF vs IRFR220NTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR220NPBF द्वारा Infineon और IRFR220NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR220NPBF | IRFR220NTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज / केस | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 15 nC (typical per Mouser listing) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | Yes (fully characterized) |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | — | 600 milliohm |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 43 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +150°C |
| पैकेज | — | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (PBF suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) |