IRFR220NPBF vs IRFR220NTRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFR220NPBF bằng Infineon và IRFR220NTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFR220NPBF | IRFR220NTRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Hộp / Vỏ | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 15 nC (typical per Mouser listing) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | Yes (fully characterized) |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | — | 600 milliohm |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 43 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55°C to +150°C |
| Hộp | — | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant (PBF suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) |