IRFR220NPBF vs IRFR220NTRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR220NPBF tarafından Infineon ve IRFR220NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR220NPBF | IRFR220NTRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 43 W | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 0.6 ohm at VGS = 10 V | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket / Kas | TO-252AA (DPAK) | — |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 15 nC (typical per Mouser listing) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes, lead-free (PBF suffix) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet characterization) | Yes (fully characterized) |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | — | 600 milliohm |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 43 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55°C to +150°C |
| Paket | — | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| RoHS Durumu | — | Compliant (PBF suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) |