IRFR2405TRLPBF vs IRFR3806TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR2405TRLPBF द्वारा Infineon और IRFR3806TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF - 60V 43A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR3806TRPBF - 60V 43A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR3806TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR2405TRLPBF IRFR3806TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A 43 A
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/- 20 V
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C (junction) -55 C to +175 C
पैकेज TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant Yes (PBF suffix, lead-free)
Packaging Tape & Reel (TR) —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
पैकेज / केस — TO-252AA (DPAK)
Number of Units in IC — 1
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

डेटाशीट और संसाधन

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