IRFR2405TRLPBF vs IRFR3806TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR2405TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3806TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR2405TRLPBF IRFR3806TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A 43 A
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/- 20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction) -55 C to +175 C
پیکیج TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant Yes (PBF suffix, lead-free)
Packaging Tape & Reel (TR) —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
پیکیج / کیس — TO-252AA (DPAK)
Number of Units in IC — 1
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں