IRFR2405TRLPBF vs IRFR3806TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR2405TRLPBF מאת Infineon ו IRFR3806TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR2405TRLPBF IRFR3806TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A 43 A
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/- 20 V
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C (junction) -55 C to +175 C
מארז TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant Yes (PBF suffix, lead-free)
Packaging Tape & Reel (TR) —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
מארז / Case — TO-252AA (DPAK)
Number of Units in IC — 1
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר