IRLH5030TRPBF vs IRF7416TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLH5030TRPBF द्वारा Infineon और IRF7416TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLH5030TRPBF | IRF7416TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLH5030TRPBF | — |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 13 A | -10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44 nC | 61 nC |
| Gate Drive Voltage (optimized) | 10 V (capable of 4.5 V) | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 156 W | — |
| Thermal Resistance to PCB (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| पैकेज | PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) | 8-SO (SOIC-8) |
| Profile Height | ≤ 0.9 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Rg Tested | 100% | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) | — |
| Industry-Standard Pinout | Yes | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -50 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 20 mOhm at VGS = -10 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -3 V |
| Power Dissipation (PD) max at TA=25C | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 50 C/W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |