IRLH5030TRPBF vs IRF7416TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLH5030TRPBF توسط Infineon و IRF7416TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLH5030TRPBF IRF7416TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLH5030TRPBF —
FET Type N-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 13 A -10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC 61 nC
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Power Dissipation at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 156 W —
Thermal Resistance to PCB (RthJC) 0.8 C/W —
بسته‌بندی PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) 8-SO (SOIC-8)
Profile Height ≤ 0.9 mm —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC standard —
Rg Tested 100% —
RoHS Compliance Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) —
Industry-Standard Pinout Yes —
Pulsed Drain Current (IDM) — -50 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
محدوده دمای اتصال کاری — -55 C to +150 C
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
سطح MSL — 1 (unlimited)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت