IRLL2705TRPBF vs BSL215CH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLL2705TRPBF द्वारा Infineon और BSL215CH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLL2705TRPBF | BSL215CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel and P-Channel Complementary Pair |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 deg C to +175 deg C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज | SOT-223 | — |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 1.5 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | 250 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 500 mW |
| पैकेज / केस | — | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Half-bridge (1 N + 1 P) |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |