IRLL2705TRPBF vs BSL215CH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLL2705TRPBF bằng Infineon và BSL215CH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLL2705TRPBF | BSL215CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel and P-Channel Complementary Pair |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 deg C to +175 deg C | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Hộp | SOT-223 | — |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 1.5 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | 250 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 500 mW |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Half-bridge (1 N + 1 P) |
| Cấp MSL | — | 1 (unlimited) |