IRLL2705TRPBF vs BSL215CH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLL2705TRPBF tarafından Infineon ve BSL215CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLL2705TRPBF | BSL215CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel and P-Channel Complementary Pair |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 deg C to +175 deg C | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | SOT-223 | — |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 1.5 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | 250 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 500 mW |
| Paket / Kas | — | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Half-bridge (1 N + 1 P) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |