IRLML2803TRPBF vs IRLML6246TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML2803TRPBF द्वारा Infineon और IRLML6246TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLML2803TRPBF | IRLML6246TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRLML2803TRPBF | IRLML6246TRPBF |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR MOSFET Generation V | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 250 mOhm maximum | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 3.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 540 mW | — |
| पैकेज | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | SOT-23 (Micro3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | -55C to +150C (junction) |
| Gate Drive Level | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) | — |
| MSL स्तर | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | Compliant, Halogen-Free | Yes (Pb-free) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 4.1 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 46 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.1 V (logic-level) |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 1.3 W |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |