IRLML2803TRPBF vs IRLML6246TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML2803TRPBF tarafından Infineon ve IRLML6246TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML2803TRPBF IRLML6246TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRLML2803TRPBF IRLML6246TRPBF
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
Paket Micro3 / SOT-23 (3-pin) SOT-23 (Micro3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction)
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
MSL Seviyesi 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free Yes (Pb-free)
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 46 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin