IRLML5103TRPBF vs IRLML0030TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML5103TRPBF द्वारा Infineon और IRLML0030TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLML5103TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | P-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current | 760 mA at Ta | — |
| Power Dissipation | 540 mW at Ta | — |
| Maximum On-Resistance | 600 mOhm | — |
| Gate Charge | 3.4 nC | — |
| Technology | IR MOSFET | IR HEXFET Power MOSFET |
| पैकेज | Micro3/SOT-23 | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage Rating | -30 V | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 175 C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Footprint | SOT-23 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |