IRLML5103TRPBF vs IRLML0030TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML5103TRPBF tarafından Infineon ve IRLML0030TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLML5103TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | P-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current | 760 mA at Ta | — |
| Power Dissipation | 540 mW at Ta | — |
| Maximum On-Resistance | 600 mOhm | — |
| Gate Charge | 3.4 nC | — |
| Technology | IR MOSFET | IR HEXFET Power MOSFET |
| Paket | Micro3/SOT-23 | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage Rating | -30 V | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| İşletim Sıcaklığı | 175 C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Footprint | SOT-23 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |