IRLML5103TRPBF vs IRLML0030TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML5103TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML0030TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRLML5103TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | P-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current | 760 mA at Ta | — |
| Power Dissipation | 540 mW at Ta | — |
| Maximum On-Resistance | 600 mOhm | — |
| Gate Charge | 3.4 nC | — |
| Technology | IR MOSFET | IR HEXFET Power MOSFET |
| پیکیج | Micro3/SOT-23 | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage Rating | -30 V | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 175 C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Footprint | SOT-23 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |