IS43TR16256AL-107MBLI vs K4B4G1646E-BYMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IS43TR16256AL-107MBLI द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IS43TR16256AL-107MBLI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $14.32 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| पैकेज / केस | 96-TWBGA (9x13mm) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| पैकेज | — | FBGA-96 |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| पिन की संख्या | — | 96 |