IS43TR16256AL-107MBLI vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IS43TR16256AL-107MBLI بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IS43TR16256AL-107MBLI K4B4G1646E-BYMA
برانڈ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $14.32
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
میموری سائز 4 Gbit —
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 933 MHz —
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps 1866 Mbps/pin
Access Time 20 ns —
سپلائی وولٹیج 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
پیکیج / کیس 96-TWBGA (9x13mm) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +95°C
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Memory Interface Parallel —
Density — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
پیکیج — FBGA-96
RoHS — Compliant
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
پنز کی تعداد — 96

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں