IS43TR16256AL-107MBLI vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IS43TR16256AL-107MBLI توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IS43TR16256AL-107MBLI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برند | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $14.32 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| نرخ داده | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Access Time | 20 ns | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| بسته‌بندی / کیس | 96-TWBGA (9x13mm) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| بسته‌بندی | — | FBGA-96 |
| RoHS | — | Compliant |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |