K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BICH तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BICH द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $4.10 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2V |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0°C to 85°C |
| इंटरफ़ेस | DDR4 SDRAM parallel interface | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 8Gb |
| संगठन | — | 1G x 8 |
| डेटा दर | — | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |