K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BICH Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BCPB tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BICH tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $4,10 | — |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2V |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | — |
| Paket | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C | 0°C to 85°C |
| Arayüz | DDR4 SDRAM parallel interface | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 8Gb |
| Organizasyon | — | 1G x 8 |
| Veri Hızı | — | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| CAS Gecikme | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |