K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BICH So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A8G085WB-BICH bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BICH
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $4,10 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gb —
Memory Organization 1G x 8 —
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.2V
Max Clock Frequency 1066 MHz —
Max Access Time 0.18 ns —
Max Standby Current 0.016 mA —
Refresh Cycles 8192 —
Technology CMOS, 8Gb B-die —
Hộp 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length 78-ball FBGA
Number of Terminals 78 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C 0°C to 85°C
Giao diện DDR4 SDRAM parallel interface —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Operating Temperature Grade Commercial (0C to 85C) —
Density — 8Gb
Tổ chức — 1G x 8
Tốc độ dữ liệu — 2400 Mbps (DDR4-2400)
Max Supply Current — 170mA
Burst Length — BL8, BL16
Latency CAS — Programmable
On-Die ECC — Yes
Data Bus Inversion — Yes
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Die Revision — B-die

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá