K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BICH موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BICH بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BICH
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $4.10 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gb —
Memory Organization 1G x 8 —
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2V
Max Clock Frequency 1066 MHz —
Max Access Time 0.18 ns —
Max Standby Current 0.016 mA —
Refresh Cycles 8192 —
Technology CMOS, 8Gb B-die —
پیکیج 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length 78-ball FBGA
Number of Terminals 78 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C 0°C to 85°C
انٹرفیس DDR4 SDRAM parallel interface —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Operating Temperature Grade Commercial (0C to 85C) —
Density — 8Gb
تنظیم — 1G x 8
ڈیٹا ریٹ — 2400 Mbps (DDR4-2400)
Max Supply Current — 170mA
Burst Length — BL8, BL16
CAS لیٹنسی — Programmable
On-Die ECC — Yes
Data Bus Inversion — Yes
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Die Revision — B-die

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں