K4A8G085WC-BCRC vs H5AN4G8NBJR-UHC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WC-BCRC द्वारा Samsung Electronics और H5AN4G8NBJR-UHC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WC-BCRC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 4 Gbit |
| संगठन | 1G x 8 | 512M x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| डेटा दर | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps (PC2400) |
| पैकेज | 78-ball FBGA (TFBGA) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Refresh | Auto/Self refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 (JEDEC) |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |