K4A8G085WC-BCRC vs H5AN4G8NBJR-UHC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN4G8NBJR-UHC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ فعال
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC-BCRC H5AN4G8NBJR-UHC
برانڈ Samsung Electronics SK hynix
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 4 Gbit
تنظیم 1G x 8 512M x 8
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps (DDR4-2400) 2400 Mbps (PC2400)
پیکیج 78-ball FBGA (TFBGA) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Terminal Pitch 0.8 mm —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
Refresh Auto/Self refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
انٹرفیس — DDR4 (JEDEC)
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں