K4A8G085WC-BCRC vs H5AN4G8NBJR-UHC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC-BCRC توسط Samsung Electronics و H5AN4G8NBJR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC-BCRC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 4 Gbit |
| سازمان | 1G x 8 | 512M x 8 |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| نرخ داده | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps (PC2400) |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA (TFBGA) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Refresh | Auto/Self refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| رابط | — | DDR4 (JEDEC) |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |