K4A8G085WC-BCRC vs H5AN4G8NBJR-UHC Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WC-BCRC sa pamamagitan ng Samsung Electronics at H5AN4G8NBJR-UHC sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WC-BCRC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorya | DRAM | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 4 Gbit |
| Organisasyon | 1G x 8 | 512M x 8 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V |
| Rate ng Data | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps (PC2400) |
| Packhaging | 78-ball FBGA (TFBGA) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Refresh | Auto/Self refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| Interface | — | DDR4 (JEDEC) |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |