K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCRC द्वारा Samsung Electro-Mechanics और K4A8G165WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WB-BCRC
ब्रांड Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
श्रेणी EEPROM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति In Stock —
यूनिट मूल्य (USD) $19.69 —
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
मेमोरी आकार 8 Gbit 8 Gb
संगठन 512M x 16 —
डेटा दर 2400 Mbps 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Clock Frequency 1333 MHz 1200 MHz (DDR4-2400)
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
इंटरफ़ेस Parallel, 16-bit DDR Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
ऑपरेटिंग तापमान 0 C to +95 C -40C to +95C
पैकेज 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (PBGA96)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
विशेषताएँ Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS स्थिति Compliant —
Memory Organization — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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