K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics và K4A8G165WB-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WB-BCRC
Thương hiệu Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Danh mục EEPROM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho In Stock —
Giá đơn vị (USD) $19,69 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit 8 Gb
Tổ chức 512M x 16 —
Tốc độ dữ liệu 2400 Mbps 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Clock Frequency 1333 MHz 1200 MHz (DDR4-2400)
Điện áp cung cấp 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Giao diện Parallel, 16-bit DDR Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
Nhiệt độ hoạt động 0 C to +95 C -40C to +95C
Hộp 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (PBGA96)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Tính năng Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
Trạng thái RoHS Compliant —
Memory Organization — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá