K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4A8G165WC-BCRC disebabkan oleh Samsung Electro-Mechanics dan K4A8G165WB-BCRC disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WB-BCRC
Merek Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Kategori EEPROM Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok In Stock —
Harga Unit (USD) $19.69 —
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Saiz Ingatan 8 Gbit 8 Gb
Organisasi 512M x 16 —
Kadar Data 2400 Mbps 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Clock Frequency 1333 MHz 1200 MHz (DDR4-2400)
Tegangan Pemberi Arus 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Antaramuka Parallel, 16-bit DDR Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
Suhu Operasi 0 C to +95 C -40C to +95C
Kemasan 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (PBGA96)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Ciri-ciri Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
Status RoHS Compliant —
Memory Organization — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga