K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-Mechanics ve K4A8G165WB-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WB-BCRC
Marka Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $19,69 —
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Bellek Boyutu 8 Gbit 8 Gb
Organizasyon 512M x 16 —
Veri Hızı 2400 Mbps 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Clock Frequency 1333 MHz 1200 MHz (DDR4-2400)
Besleme Gerilimi 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Arayüz Parallel, 16-bit DDR Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
İşletim Sıcaklığı 0 C to +95 C -40C to +95C
Paket 96-FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (PBGA96)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Özellikler Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS Durumu Compliant —
Memory Organization — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin