K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WA-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WA-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WA-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4AAG165WA-BCPB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WA-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) |
| मेमोरी आकार | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Parallel, DDR4 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | DRAM |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | DDR4 |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | Tray |
| Product Status | Active | Active |
| Density | — | 16 Gb |
| संगठन | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Power Consumption | — | 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 internal bank groups) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Max Capacity Family | — | Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) |