K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-107MBLI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics और IS43TR16256AL-107MBLI द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $14.32 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| पैकेज | FBGA-96 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| पैकेज / केस | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Memory Interface | — | Parallel |