K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-107MBLI השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics ו IS43TR16256AL-107MBLI מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $14.32 | — |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| מארז | FBGA-96 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| מספר פינים | 96 | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| מארז / Case | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Memory Interface | — | Parallel |