K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-107MBLI مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics و IS43TR16256AL-107MBLI توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $14.32 | — |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| نرخ داده | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| دمای کاری | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| اندازه حافظه | — | 4 Gbit |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| بسته‌بندی / کیس | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Memory Interface | — | Parallel |