K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-107MBLI موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics اور IS43TR16256AL-107MBLI بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646E-BYMA IS43TR16256AL-107MBLI
برانڈ Samsung Electronics ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $14.32 —
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
تنظیم 256M x 16 256M x 16
سپلائی وولٹیج 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Clock Frequency 933 MHz —
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps/pin 1866 Mbps
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
پیکیج FBGA-96 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8 and 4
پنز کی تعداد 96 —
میموری سائز — 4 Gbit
Clock Speed — 933 MHz
Access Time — 20 ns
پیکیج / کیس — 96-TWBGA (9x13mm)
Number of Banks — 8
On-Die Termination — Yes
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Memory Interface — Parallel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں