K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BCQK तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH165VB-BIWM द्वारा Samsung Electronics और K4RAH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BCQK
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
संगठन 1G x 16 —
डेटा दर 5600 Mbps 4800 Mbps
सप्लाई वोल्टेज 1.1 V —
पैकेज 106-ball FBGA 106-ball FBGA
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C 0C to +85C
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) —
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Standard Packaging 1000 units —
RoHS स्थिति Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) [DATA_NEEDED: RoHS status]
मेमोरी आकार — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
विशेषताएँ — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
लाइफसाइकिल स्थिति — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

डेटाशीट और संसाधन

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