K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BCQK השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4RAH165VB-BIWM מאת Samsung Electronics ו K4RAH165VB-BCQK מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BCQK
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
ארגון 1G x 16 —
קצב נתונים 5600 Mbps 4800 Mbps
מתח אספקה 1.1 V —
מארז 106-ball FBGA 106-ball FBGA
טמפרטורת פעולה 0C to +85C 0C to +85C
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) —
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Standard Packaging 1000 units —
סטטוס RoHS Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) [DATA_NEEDED: RoHS status]
גודל זיכרון — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
תכונות — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
סטטוס מחזור חיים — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר